[供应] 纳米晶屏蔽片手写板绘画板用抗干扰纳米晶屏蔽吸波材料

详细说明：

手写板抗干扰纳米晶屏蔽材料，绘画板抗干扰纳米晶吸波材料，触控屏抗干扰纳米晶屏蔽片，现货提供

专业生产高性能纳米晶屏蔽材料，手写板或绘画板都是磁敏控制的，需要用到抗干扰纳米晶屏蔽片，才能够**次性解决抗干扰问题，触控才灵敏，反应才快速。

本发明针对上述技术问题，提出了**种用于磁屏蔽片的非晶或纳米晶材料的热处理方法，在热处理时同时进行横磁场处理，热处理后的磁片提高了磁导率，并且降低了损耗，提高了充电效率。
本发明的**种用于磁屏蔽片的非晶或纳米晶材料的热处理方法，包括如下步骤：
卷绕步骤，将非晶带材或纳米晶带材卷绕成需要尺寸的磁芯；和
热处理步骤，将非晶或纳米晶磁芯按照**定规则排放于热处理炉中进行热处理；
其中，在热处理的过程中同时进行磁场处理。
优选地，所述热处理步骤中，热处理工作温度的设定如下：非晶材料热处理温度为350℃-480℃，升温时间为50分钟-2小时，保温时间为1小时-10小时；其中升温阶段为两个阶段，保温阶段为两个阶段。
优选地，所述热处理步骤中，热处理工作温度的设定如下：纳米晶材料热处理温度为450-580℃，升温时间为1小时-3小时，保温时间为1小时-10小时，升温阶段分为二个阶段或三个阶段，等温阶段为三个至五个阶段。
优选地，所述热处理步骤进**步包括如下步骤：
抽真空步骤：卷绕成的所述磁芯放入热处理炉并拧紧炉盖后，抽真空至真空-0.08MPa；
保护气充入步骤：充入保护气氛至热处理炉内气压为0.02-0.04MPa，所述保护气氛为氩气或氮气；
磁场处理步骤，在热处理炉内升温到250℃温度时，施加直流电流在热处理炉的螺旋铜管上，施加的直流电流强度为500-2000A，产生的磁场强度为1000-4000A/m，在热处理升温和保温过程中**直进行磁场处理，直到所述磁芯的温度降为200℃以下。
优选地，所述热处理炉是气体保护热处理炉，炉体结构为立式磁场炉。
优选地，所述磁场处理为横磁场处理，所述磁屏蔽片使用的频率在100KHZ以上，磁导率400以上。
优选地，所述非晶材料为1K101材料，所述纳米晶材料为1K107材料。
优选地，所述**定规则包括多个磁芯单层摆放，各磁芯间距**般为30-50毫米。
本发明的有益效果：
1、通过使用加磁场热处理工艺，提高磁屏蔽片的屏蔽性能。
2、加磁场热处理后，降低了饱和磁致伸缩系数，从而降低应力的影响，提高了磁导率，降低了损耗，提高了充电效率。